Systematyczne zrealizowanie przedstawionych zadań umożliwi pełne poznanie podstaw fizycznych działania kondensatora i tranzystora MOS. Czytelnik zostanie zapoznany z metodami wyznaczania parametrów tych przyrządów stosowanych w praktyce laboratoryjnej i przemysłowej, a także wprowadzony w zagadnienia modelowania struktur MOS w układach o dużej skali integracji.